zakaz@trymarket.ru
Щитовое оборудование
Электронные компоненты
Устройства компенсации реактивной мощности
Силовое оборудование
Пускорегулирующая аппаратура
Релейная защита и автоматика
Модульное оборудование
Светосигнальные устройства
Монтажные изделия и материалы
Устройства автоматического ввода резерва (АВР)
Сварочное оборудование
Отопление, вентиляция и климат
Зарядные станции и аксессуары
Преобразователи частоты
Приводы воздушных заслонок
Отложить
Отложено
Сравнить
В сравнении
Артикул
FF450R12ME4
12 880 ₽/шт
-
+
Цена на Модуль EconoDUAL™3 с TrenchFieldstop IGBT4 может изменяться в зависимости от текущего курса рубля!
Предназначен для использования в различных электронных системах, где требуется мощный и надежный модуль мощности. Он широко применяется в инверторах, преобразователях частоты и других аналогичных системах, где необходимо управление высокими электрическими мощностями.
Предназначен для использования в различных электронных системах, где требуется мощный и надежный модуль мощности. Он широко применяется в инверторах, преобразователях частоты и других аналогичных системах, где необходимо управление высокими электрическими мощностями.
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
- Описание
- Характеристики
- Отзывы о товаре
- Задать вопрос
-
Цена на Модуль EconoDUAL™3 с TrenchFieldstop IGBT4 может изменяться в зависимости от текущего курса рубля!
Infineon FF450R12ME4 - это высокопроизводительный модуль мощности IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), разработанный компанией Infineon Technologies. Он представляет собой комплексное устройство, предназначенное для использования в различных электронных системах, где требуется эффективное управление большими электрическими мощностями.
FF450R12ME4 обладает высокими характеристиками производительности, надежности и эффективности, что делает его идеальным выбором для применения в инверторах, преобразователях частоты, промышленных приводах, электромобилях и других подобных системах. Он способен обрабатывать значительные энергетические нагрузки и обеспечивать стабильное и эффективное управление энергией.Документы
foz4cq3ivyrmdwtxs1jsjkmnntl7ar0y Размер: 6,6 мб -
Непрерывный ток DC коллектора Iс nom=450 при TC = 100°C, Tvj max = 175°C , А 450 Непрерывный ток DC коллектора Iс =675 при TC = 25°C, Tvj max = 175°C , А 675 Повторяющийся пиковый ток коллектора Icrm при tP = 1 ms, А 900 Повторяющийся пиковый прямой ток Ifrm при tP = 1 ms, А 900 Напряжение коллектор-эмиттера Vces при Tvj = 25°C, В 1200 Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Vce sat при Ic = 450 A, Vge = 15 В, Tvj = 25°C, В 2,1 Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Vce sat при Ic = 450 A, Vge = 15 В, Tvj = 125°C, В 2,1 Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Vce sat при Ic = 450 A, Vge = 15 В, Tvj = 150°C, В 2,1 Прямое напряжение If = 450 A, VGE = 0 В, Tvj = 25°C, В 1,65 Прямое напряжение If = 450 A, VGE = 0 В, Tvj = 125°C, В 1,65 Прямое напряжение If = 450 A, VGE = 0 В, Tvj = 150°C, В 1,65 Пиковое напряжение затвор-эмиттер Vges, В +/-20 Общая рассеиваемая мощность Ptot при TC = 25°C, Tvj max = 175°C, Вт 2250 I²t - значение при VR = 0 В, tP = 10 мс, Tvj = 125°C, A²s 35000 I²t - значение при VR = 0 В, tP = 10 мс, Tvj = 150°C, A²s 28500 Термическое сопротивление, переход к корпусу (на диод), К/Вт 0,1 Температура в условиях переключения Tvj op, °C от -40°C до +150°C Непрерывная прямая DC If, А 450 Термическое сопротивление RthJC, переход к корпусу (к IGBT), К/Вт 0,066 Данные Isc при VGE ≤ 15 В, VCC = 800 В, tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C, А 1800 Внутренний резистор затвора RGint при Tvj = 25°C, Ом 1,7 -
Вы можете задать любой интересующий вас вопрос по товару или работе магазина.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.